2025年国产半导体行业迎来爆发期，士兰微作为功率半导体龙头企业，交出了一份震撼业界的成绩单：前三季度归母净利润3.49亿元，同比暴涨1108.74%，上半年营收同比增幅超20%，核心驱动力正是其旗下多款热门紧缺料号的持续热销。在新能源与国产化替代的双重浪潮下，士兰微的SiC与IGBT系列产品成为市场争抢的“香饽饽”。 士兰微的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片及模块是当前最紧缺的料号之一，这款适配新能源汽车800V高压平台的核心器件，上半年累计出货已突破2万颗。随着比亚迪、小鹏等车企加速布局高压平台，该料号需求呈指数级增长。其1200V电压规格、20mΩ导通电阻的优异性能，可将电机控制器效率提升至98%以上，较传统器件降低30%损耗，成为车企替代英飞凌进口产品的首选。 V代IGBT芯片及配套FRD器件同样供不应求，作为新能源汽车主驱与光伏逆变器的核心部件，相关产线已连续多季度满负荷生产。士兰微自主研发的V代IGBT芯片通过车规认证后，迅速切入比亚迪王朝系列供应链，单管器件月出货量突破百万级。在光伏领域，配套隆基绿能1500V逆变器的IGBT模块，凭借成本比海外同类产品低15%的优势，市场份额从5%提升至8%。 紧缺料号的放量离不开产能支撑。士兰微6英寸SiC产线已形成万片月产能，8英寸SiC产线四季度即将通线，12英寸IGBT产线也在加紧技改扩产。这种IDM模式带来的产能保障，使其在芯片荒中抢占先机。第四代SiC芯片已送测客户，下半年即将上量，将进一步巩固其市场地位。 政策东风更助推增长。汽车芯片认证体系2.0的落地，为士兰微产品快速“上车”铺路；国家大基金的支持则加速了其技术攻关。在新能源汽车渗透率达35%、光伏装机量冲击120GW的市场背景下，士兰微的紧缺料号正持续填补国产替代缺口。 从曾经的技术跟跑到如今的部分领跑，士兰微的利润狂飙印证了国产芯片的突围之路。随着更多紧缺料号产能释放，这家半导体龙头将在国产替代的浪潮中，书写更强劲的增长篇章。