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1N3893R

GeneSiC Semiconductor

型号:

1N3893R

封装:

DO-4

批次:

-

数据手册:

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描述:

DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

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产品信息

参数信息

用户指南

Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 200 ns
Capacitance @ Vr, F -
Mounting Type Chassis, Stud Mount
Product Status Active
Supplier Device Package DO-4
Current - Reverse Leakage @ Vr 25 µA @ 50 V
Series -
Package / Case DO-203AA, DO-4, Stud
Technology Standard, Reverse Polarity
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.4 V @ 12 A
Mfr GeneSiC Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V
Package Bulk
Current - Average Rectified (Io) 12A
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 150°C
Base Product Number 1N3893R

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