首页 / 单二极管 / 1N8035-GA

1N8035-GA

GeneSiC Semiconductor

型号:

1N8035-GA

品牌:

GeneSiC Semiconductor

封装:

TO-276

批次:

数据手册:

描述:

DIODE SIL CARB 650V 14.6A TO276

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 请查询

请发送RFQ，我们将立即回复。

联系人姓名

电子邮箱

公司名称

国家

购买数量

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 1N8035-GA 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 1N8035-GA 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 1N8035-GA 的最新报价。 1N8035-GA 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	1107pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Supplier Device Package	TO-276
Current - Reverse Leakage @ Vr	5 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	TO-276AA
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5 V @ 15 A
Mfr	GeneSiC Semiconductor
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tube
Current - Average Rectified (Io)	14.6A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 250°C
Base Product Number	1N8035