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2SK3566(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

型号:

2SK3566(STA4,Q,M)

封装:

TO-220SIS

批次:

-

数据手册:

-

描述:

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4Ohm @ 1.5A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220SIS
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Series π-MOSIV
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number 2SK3566

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