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630AT

Goford Semiconductor

型号:

630AT

品牌:

Goford Semiconductor

封装:

TO-220

批次:

数据手册:

描述:

N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3

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库存 : 63

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数量

单价

总价

1

$0.8265

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10

$0.71725

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100

$0.496565

$49.6565
500

$0.414884

$207.442
1000

$0.353096

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2000

$0.314478

$628.956
5000

$0.29792

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10000

$0.275861

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	509 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.8 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 1A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Supplier Device Package	TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Series	-
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Mfr	Goford Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tube