APTM100TDU35PG
Microsemi Corporation
型号:
APTM100TDU35PG
封装:
SP6-P
批次:
-
数据手册:
描述:
MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
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产品信息
参数信息
用户指南
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Configuration | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 11A, 10V |
| Product Status | Obsolete |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Supplier Device Package | SP6-P |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Series | - |
| Package / Case | SP6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 390W |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A |
| Mfr | Microsemi Corporation |
| Package | Bulk |
| Base Product Number | APTM100 |
APTM100TDU35PG 标签
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