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APTM120H29FG

Microchip Technology

型号:

APTM120H29FG

品牌:

Microchip Technology

封装:

SP6

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	4 N-Channel (Half Bridge)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	374nC @ 10V
Mounting Type	Chassis Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	348mOhm @ 17A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 5mA
Supplier Device Package	SP6
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Series	POWER MOS 7®
Package / Case	SP6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	780W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	34A
Mfr	Microchip Technology
Package	Bulk
Base Product Number	APTM120