APTM120U10DAG
Microsemi Corporation
型号:
APTM120U10DAG
封装:
SP6
批次:
-
数据手册:
描述:
MOSFET N-CH 1200V 160A SP6
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产品信息
参数信息
用户指南
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28900 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1100 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 58A, 10V |
| Product Status | Obsolete |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 20mA |
| Supplier Device Package | SP6 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Power Dissipation (Max) | 3290W (Tc) |
| Series | - |
| Package / Case | SP6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Mfr | Microsemi Corporation |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Package | Bulk |
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