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BSO612CVG

Infineon Technologies

型号:

BSO612CVG

品牌:

Infineon Technologies

封装:

PG-DSO-8

批次:

数据手册:

描述:

BSO612 - 20V-60V COMPLEMENTARY M

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	340pF, 400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.5nC @ 10V, 16nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 3A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 20µA, 4V @ 450µA
Supplier Device Package	PG-DSO-8
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Series	SIPMOS®
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	2W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Ta), 2A (Ta)
Mfr	Infineon Technologies
Package	Bulk
Base Product Number	BSO612