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BUK662R5-30C,118

Nexperia USA Inc.

型号:

BUK662R5-30C,118

封装:

D2PAK

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 25A, 10V
Product Status Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Power Dissipation (Max) 204W (Tc)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Mfr Nexperia USA Inc.
Vgs (Max) ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tape & Reel (TR)

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