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BUK965R4-40E,118

NXP USA Inc.

型号:

BUK965R4-40E,118

品牌:

NXP USA Inc.

封装:

D2PAK

批次:

数据手册:

描述:

TRANSISTOR >30MHZ

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4483 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.9 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4mOhm @ 25A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 1mA
Supplier Device Package	D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Power Dissipation (Max)	137W (Tc)
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Mfr	NXP USA Inc.
Vgs (Max)	±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Package	Bulk