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CDM22010-650 SL

Central Semiconductor Corp

型号:

CDM22010-650 SL

封装:

TO-220-3

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 650V 10A TO220

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1168 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 156W (Tc)
Series -
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Mfr Central Semiconductor Corp
Vgs (Max) 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number CDM22010

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