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DMG4800LK3-13

Diodes Incorporated

型号:

DMG4800LK3-13

品牌:

Diodes Incorporated

封装:

TO-252-3

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	798 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.7 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 9A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Supplier Device Package	TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Power Dissipation (Max)	1.71W (Ta)
Series	-
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Mfr	Diodes Incorporated
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	DMG4800