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DMNH10H028SPSQ-13

Diodes Incorporated

型号:

DMNH10H028SPSQ-13

品牌:

Diodes Incorporated

封装:

PowerDI5060-8

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2245 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 20A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Supplier Device Package	PowerDI5060-8
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Power Dissipation (Max)	1.6W (Ta)
Series	-
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Mfr	Diodes Incorporated
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	DMNH10