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DMTH10H1M7STLWQ-13

Diodes Incorporated

型号:

DMTH10H1M7STLWQ-13

封装:

POWERDI1012-8

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 147 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 30A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package POWERDI1012-8
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Power Dissipation (Max) 6W (Ta), 250W (Tc)
Series -
Package / Case 8-PowerSFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250A (Tc)
Mfr Diodes Incorporated
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number DMTH10

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