首页 / 单 FET，MOSFET / FCMT360N65S3

FCMT360N65S3

onsemi

型号:

FCMT360N65S3

品牌:

onsemi

封装:

4-PQFN (8x8)

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 请查询

请发送RFQ，我们将立即回复。

联系人姓名

电子邮箱

公司名称

国家

购买数量

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 FCMT360N65S3 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 FCMT360N65S3 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 FCMT360N65S3 的最新报价。 FCMT360N65S3 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	730 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 5A, 10V
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 200µA
Supplier Device Package	4-PQFN (8x8)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Series	SuperFET® III
Package / Case	4-PowerTSFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Tc)
Mfr	onsemi
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	FCMT360