minImg

FCP165N65S3

onsemi

型号:

FCP165N65S3

品牌:

onsemi

封装:

TO-220-3

批次:

-

数据手册:

pdf.png

描述:

MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3

购买数量:

递送:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

付款:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

库存 : 731

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

  • 1

    $2.7455

    $2.7455

  • 10

    $2.28285

    $22.8285

  • 100

    $1.81678

    $181.678

  • 500

    $1.537271

    $768.6355

  • 1000

    $1.30434

    $1304.34

  • 2000

    $1.239132

    $2478.264

  • 5000

    $1.192544

    $5962.72

请发送询价,我们将立即回复。

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06
IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商,销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件,确保所有产品均经过严格质量控制,符合最高标准。 如有兴趣了解 FCP165N65S3 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款,请随时联系我们。为便于处理您的询价,请将 FCP165N65S3 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 FCP165N65S3 的最新报价。 FCP165N65S3 最新信息:#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 9.5A, 10V
Product Status Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Power Dissipation (Max) 154W (Tc)
Series SuperFET® III
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Mfr onsemi
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number FCP165

FCP165N65S3 标签

  • FCP165N65S3
  • FCP165N65S3 PDF
  • FCP165N65S3 数据表
  • FCP165N65S3 规格
  • FCP165N65S3 图片
  • 买 FCP165N65S3
  • FCP165N65S3 价格
  • FCP165N65S3 分类
  • FCP165N65S3 关联产品
  • FCP165N65S3 关联新闻