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FDMC2610

Fairchild Semiconductor

型号:

FDMC2610

封装:

8-MLP (3.3x3.3)

批次:

-

数据手册:

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描述:

N-CHANNEL ULTRAFET TRENCH MOSFET

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 960 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 2.2A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Series UniFET™
Package / Case 8-PowerWDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Mfr Fairchild Semiconductor
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Package Bulk

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