首页 / 单 FET，MOSFET / FDP2D3N10C

FDP2D3N10C

Fairchild Semiconductor

型号:

FDP2D3N10C

品牌:

Fairchild Semiconductor

封装:

TO-220-3

批次:

数据手册:

描述:

N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 请查询

请发送RFQ，我们将立即回复。

联系人姓名

电子邮箱

公司名称

国家

购买数量

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 FDP2D3N10C 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 FDP2D3N10C 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 FDP2D3N10C 的最新报价。 FDP2D3N10C 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11180 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	152 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 100A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 700µA
Supplier Device Package	TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Power Dissipation (Max)	214W (Tc)
Series	PowerTrench®
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	222A (Tc)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk
Base Product Number	FDP2D3