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FQI3N90TU

onsemi

型号:

FQI3N90TU

品牌:

onsemi

封装:

I2PAK (TO-262)

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.25Ohm @ 1.8A, 10V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Supplier Device Package	I2PAK (TO-262)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Power Dissipation (Max)	3.13W (Ta), 130W (Tc)
Series	QFET®
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.6A (Tc)
Mfr	onsemi
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	FQI3