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G3R160MT12D

GeneSiC Semiconductor

型号:

G3R160MT12D

封装:

TO-247-3

批次:

-

数据手册:

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描述:

SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 730 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 192mOhm @ 10A, 15V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2.69V @ 5mA
Supplier Device Package TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V
Power Dissipation (Max) 123W (Tc)
Series G3R™
Package / Case TO-247-3
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Mfr GeneSiC Semiconductor
Vgs (Max) ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Package Tube
Base Product Number G3R160

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