首页 / 单二极管 / G4S06515DT

G4S06515DT

Global Power Technology-GPT

型号:

G4S06515DT

品牌:

Global Power Technology-GPT

封装:

TO-263

批次:

数据手册:

描述:

DIODE SIL CARBIDE 650V 38A TO263

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 请查询

请发送RFQ，我们将立即回复。

联系人姓名

电子邮箱

公司名称

国家

购买数量

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 G4S06515DT 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 G4S06515DT 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 G4S06515DT 的最新报价。 G4S06515DT 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	645pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-263
Current - Reverse Leakage @ Vr	50 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 15 A
Mfr	Global Power Technology-GPT
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Cut Tape (CT)
Current - Average Rectified (Io)	38A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C