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G4S12020BM

Global Power Technology-GPT

型号:

G4S12020BM

品牌:

Global Power Technology-GPT

封装:

TO-247AB

批次:

数据手册:

描述:

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P

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产品信息

参数信息

用户指南

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-247AB
Current - Reverse Leakage @ Vr	30 µA @ 1200 V
Series	-
Package / Case	TO-247-3
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.6 V @ 10 A
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Mfr	Global Power Technology-GPT
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200 V
Package	Cut Tape (CT)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	33.2A (DC)
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C