首页 / 二极管阵列 / G4S12040BM

G4S12040BM

Global Power Technology-GPT

型号:

G4S12040BM

品牌:

Global Power Technology-GPT

封装:

TO-247AB

批次:

数据手册:

描述:

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 请查询

请发送RFQ，我们将立即回复。

联系人姓名

电子邮箱

公司名称

国家

购买数量

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 G4S12040BM 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 G4S12040BM 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 G4S12040BM 的最新报价。 G4S12040BM 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-247AB
Current - Reverse Leakage @ Vr	30 µA @ 1200 V
Series	-
Package / Case	TO-247-3
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.6 V @ 20 A
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Mfr	Global Power Technology-GPT
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200 V
Package	Cut Tape (CT)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	64.5A (DC)
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C