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IDH10G65C5ZXKSA1

Infineon Technologies

型号:

IDH10G65C5ZXKSA1

封装:

PG-TO220-2

批次:

-

数据手册:

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描述:

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2

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产品信息

参数信息

用户指南

Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Capacitance @ Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type Through Hole
Product Status Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package PG-TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr 180 µA @ 650 V
Series CoolSiC™+
Package / Case TO-220-2
Technology SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 10 A
Mfr Infineon Technologies
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Package Tube
Current - Average Rectified (Io) 10A
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Base Product Number IDH10G65

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