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IPA65R660CFDXKSA1

Infineon Technologies

型号:

IPA65R660CFDXKSA1

品牌:

Infineon Technologies

封装:

PG-TO220-3-111

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 650V 6A TO220

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	615 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	660mOhm @ 2.1A, 10V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 200µA
Supplier Device Package	PG-TO220-3-111
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Power Dissipation (Max)	27.8W (Tc)
Series	CoolMOS™
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Mfr	Infineon Technologies
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IPA65R660