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IPB067N08N3GATMA1

Infineon Technologies

型号:

IPB067N08N3GATMA1

品牌:

Infineon Technologies

封装:

PG-TO263-3

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK

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库存 : 5571

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单价

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1

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10

$2.28095

$22.8095
100

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$183.3215
500

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3840 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7mOhm @ 73A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 73µA
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Power Dissipation (Max)	136W (Tc)
Series	OptiMOS™
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Mfr	Infineon Technologies
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPB067