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IPI120N10S405AKSA1

Infineon Technologies

型号:

IPI120N10S405AKSA1

品牌:

Infineon Technologies

封装:

PG-TO262-3-1

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	91 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.3mOhm @ 100A, 10V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 120µA
Supplier Device Package	PG-TO262-3-1
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Power Dissipation (Max)	190W (Tc)
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Mfr	Infineon Technologies
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IPI120N