首页 / 单 FET，MOSFET / IPS09N03LA G

IPS09N03LA G

Infineon Technologies

型号:

IPS09N03LA G

品牌:

Infineon Technologies

封装:

PG-TO251-3-11

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 请查询

请发送RFQ，我们将立即回复。

联系人姓名

电子邮箱

公司名称

国家

购买数量

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 IPS09N03LA G 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 IPS09N03LA G 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 IPS09N03LA G 的最新报价。 IPS09N03LA G 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1642 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 5 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8mOhm @ 30A, 10V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Supplier Device Package	PG-TO251-3-11
Drain to Source Voltage (Vdss)	25 V
Power Dissipation (Max)	63W (Tc)
Series	OptiMOS™
Package / Case	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Mfr	Infineon Technologies
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tube
Base Product Number	IPS09N