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IPU105N03L G

Infineon Technologies

型号:

IPU105N03L G

品牌:

Infineon Technologies

封装:

PG-TO251-3-21

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 30A, 10V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Supplier Device Package	PG-TO251-3-21
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Power Dissipation (Max)	38W (Tc)
Series	OptiMOS™
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Mfr	Infineon Technologies
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tube
Base Product Number	IPU105N