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IRF620PBF-BE3

Vishay Siliconix

型号:

IRF620PBF-BE3

封装:

TO-220AB

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Series -
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V
Package Tube
Base Product Number IRF620

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