首页 / 单 FET，MOSFET / IRF830ASPBF

IRF830ASPBF

Vishay Siliconix

型号:

IRF830ASPBF

品牌:

Vishay Siliconix

封装:

D²PAK (TO-263)

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 556

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

1

$2.014

$2.014
10

$1.80595

$18.0595
100

$1.451695

$145.1695
500

$1.192687

$596.3435
1000

$0.988218

$988.218
2000

$0.920075

$1840.15
5000

$0.885989

$4429.945
10000

$0.851912

$8519.12

请发送询价，我们将立即回复。

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 IRF830ASPBF 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 IRF830ASPBF 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 IRF830ASPBF 的最新报价。 IRF830ASPBF 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 3A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Power Dissipation (Max)	3.1W (Ta), 74W (Tc)
Series	-
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IRF830