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IRFD113PBF

Vishay Siliconix

型号:

IRFD113PBF

封装:

4-HVMDIP

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 800mA, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package 4-HVMDIP
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Power Dissipation (Max) 1W (Tc)
Series -
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number IRFD113

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