首页 / 单 FET，MOSFET / IV1Q12160T4

IV1Q12160T4

Inventchip

型号:

IV1Q12160T4

品牌:

Inventchip

封装:

TO-247-4

批次:

数据手册:

描述:

SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 106

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

1

$17.1285

$17.1285
10

$15.0879

$150.879
100

$13.0492

$1304.92
500

$11.825828

$5912.914

请发送询价，我们将立即回复。

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 IV1Q12160T4 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 IV1Q12160T4 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 IV1Q12160T4 的最新报价。 IV1Q12160T4 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	885 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43 nC @ 20 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	195mOhm @ 10A, 20V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.9V @ 1.9mA
Supplier Device Package	TO-247-4
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Power Dissipation (Max)	138W (Tc)
Series	-
Package / Case	TO-247-4
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Mfr	Inventchip
Vgs (Max)	+20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Package	Tube