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IXFN100N65X2

IXYS

型号:

IXFN100N65X2

品牌:

IXYS

封装:

SOT-227B

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 183 nC @ 10 V
Mounting Type Chassis Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 50A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Supplier Device Package SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Power Dissipation (Max) 595W (Tc)
Series HiPerFET™, Ultra X2
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 78A (Tc)
Mfr IXYS
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number IXFN100

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