首页 / 单 FET，MOSFET / IXFP6N120P

IXFP6N120P

IXYS

型号:

IXFP6N120P

品牌:

IXYS

封装:

TO-220-3

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 43

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

1

$9.348

$9.348
10

$8.01515

$80.1515
100

$6.67888

$667.888
500

$5.893154

$2946.577
1000

$5.30384

$5303.84

请发送询价，我们将立即回复。

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 IXFP6N120P 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 IXFP6N120P 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 IXFP6N120P 的最新报价。 IXFP6N120P 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2830 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	92 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4Ohm @ 500mA, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Supplier Device Package	TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Power Dissipation (Max)	250W (Tc)
Series	HiPerFET™, Polar
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Mfr	IXYS
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXFP6N120