首页 / 单 FET，MOSFET / IXFT50N50P3

IXFT50N50P3

IXYS

型号:

IXFT50N50P3

品牌:

IXYS

封装:

TO-268AA

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 500V 50A TO268

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 20

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

1

$11.096

$11.096
10

$9.7793

$97.793
100

$8.457375

$845.7375
500

$7.664543

$3832.2715
1000

$7.030228

$7030.228

请发送询价，我们将立即回复。

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 IXFT50N50P3 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 IXFT50N50P3 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 IXFT50N50P3 的最新报价。 IXFT50N50P3 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4335 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	85 nC @ 0 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 25A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Supplier Device Package	TO-268AA
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Power Dissipation (Max)	960W (Tc)
Series	HiPerFET™, Polar3™
Package / Case	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Mfr	IXYS
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IXFT50