首页 / 单 FET，MOSFET / IXTA3N100D2HV

IXTA3N100D2HV

IXYS

型号:

IXTA3N100D2HV

品牌:

IXYS

封装:

TO-263HV

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 请查询

请发送RFQ，我们将立即回复。

联系人姓名

电子邮箱

公司名称

国家

购买数量

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 IXTA3N100D2HV 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 IXTA3N100D2HV 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 IXTA3N100D2HV 的最新报价。 IXTA3N100D2HV 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Depletion Mode
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37.5 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6Ohm @ 1.5A, 0V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Supplier Device Package	TO-263HV
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000 V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Series	Depletion
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Tj)
Mfr	IXYS
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Package	Tube
Base Product Number	IXTA3