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LND250K1-G

Microchip Technology

型号:

LND250K1-G

封装:

SOT-23 (TO-236AB)

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature Depletion Mode
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1000Ohm @ 500µA, 0V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Series -
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13mA (Tj)
Mfr Microchip Technology
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number LND250

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