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NP80N04NDG-S18-AY

NEC Corporation

型号:

NP80N04NDG-S18-AY

封装:

TO-262

批次:

-

数据手册:

-

描述:

MOSFET N-CH 40V 80A TO262

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature 175°C
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 40A, 10V
Product Status Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Series Automotive, AEC-Q101
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Mfr NEC Corporation
Vgs (Max) ±20V
Package Tube

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