NTC040N120SC1
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产品信息
参数信息
用户指南
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1781 pF @ 800 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 35A, 20V |
| Product Status | Active |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 10mA |
| Supplier Device Package | Die |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Power Dissipation (Max) | 348W (Tc) |
| Series | - |
| Package / Case | Die |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Mfr | onsemi |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Package | Tray |
NTC040N120SC1 标签
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