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NTH4L060N065SC1

onsemi

型号:

NTH4L060N065SC1

品牌:

onsemi

封装:

TO-247-4L

批次:

-

数据手册:

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描述:

SIC MOS TO247-4L 650V

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1473 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 18 V
Mounting Type Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 20A, 18V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package TO-247-4L
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Power Dissipation (Max) 176W (Tc)
Series -
Package / Case TO-247-4
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A (Tc)
Mfr onsemi
Vgs (Max) +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V
Package Tube

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