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PJW3N10A_R2_00001

Panjit International Inc.

型号:

PJW3N10A_R2_00001

封装:

SOT-223

批次:

-

数据手册:

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描述:

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 508 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.1 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310mOhm @ 2.2A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta)
Series -
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Ta)
Mfr Panjit International Inc.
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number PJW3N10A

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