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PMDPB95XNE,115

NXP USA Inc.

型号:

PMDPB95XNE,115

品牌:

NXP USA Inc.

封装:

6-HUSON (2x2)

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	143pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 2A, 4.5V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Supplier Device Package	6-HUSON (2x2)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	-
Package / Case	6-UDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	475mW
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.4A
Mfr	NXP USA Inc.
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PMDPB95