minImg

PMDT670UPE,115

Nexperia USA Inc.

型号:

PMDT670UPE,115

封装:

SOT-666

批次:

-

数据手册:

pdf.png

描述:

MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666

购买数量:

递送:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

付款:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

库存 : 495

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

  • 1

    $0.342

    $0.342

  • 10

    $0.27645

    $2.7645

  • 100

    $0.188195

    $18.8195

  • 500

    $0.14117

    $70.585

  • 1000

    $0.105868

    $105.868

  • 2000

    $0.097052

    $194.104

请发送询价,我们将立即回复。

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06
IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商,销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件,确保所有产品均经过严格质量控制,符合最高标准。 如有兴趣了解 PMDT670UPE,115 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款,请随时联系我们。为便于处理您的询价,请将 PMDT670UPE,115 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 PMDT670UPE,115 的最新报价。 PMDT670UPE,115 最新信息:#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature Logic Level Gate
Configuration 2 P-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 87pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.14nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Product Status Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-666
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Package / Case SOT-563, SOT-666
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 330mW
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 550mA
Mfr Nexperia USA Inc.
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number PMDT670

PMDT670UPE,115 标签

  • PMDT670UPE
  • 115
  • PMDT670UPE
  • 115 PDF
  • PMDT670UPE
  • 115 数据表
  • PMDT670UPE
  • 115 规格
  • PMDT670UPE
  • 115 图片
  • 买 PMDT670UPE
  • 115
  • PMDT670UPE
  • 115 价格
  • PMDT670UPE
  • 115 分类
  • PMDT670UPE
  • 115 关联产品
  • PMDT670UPE
  • 115 关联新闻