minImg

PMDXB600UNEZ

Nexperia USA Inc.

型号:

PMDXB600UNEZ

封装:

DFN1010B-6

批次:

-

数据手册:

pdf.png

描述:

MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

购买数量:

递送:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

付款:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

库存 : 51401

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

  • 1

    $0.437

    $0.437

  • 10

    $0.323

    $3.23

  • 100

    $0.18316

    $18.316

  • 500

    $0.121277

    $60.6385

  • 1000

    $0.092976

    $92.976

  • 2000

    $0.080854

    $161.708

请发送询价,我们将立即回复。

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06
IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商,销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件,确保所有产品均经过严格质量控制,符合最高标准。 如有兴趣了解 PMDXB600UNEZ 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款,请随时联系我们。为便于处理您的询价,请将 PMDXB600UNEZ 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 PMDXB600UNEZ 的最新报价。 PMDXB600UNEZ 最新信息:#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature Logic Level Gate
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 21.3pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Supplier Device Package DFN1010B-6
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Series TrenchFET®
Package / Case 6-XFDFN Exposed Pad
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 265mW
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 600mA
Mfr Nexperia USA Inc.
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number PMDXB600

PMDXB600UNEZ 标签

  • PMDXB600UNEZ
  • PMDXB600UNEZ PDF
  • PMDXB600UNEZ 数据表
  • PMDXB600UNEZ 规格
  • PMDXB600UNEZ 图片
  • 买 PMDXB600UNEZ
  • PMDXB600UNEZ 价格
  • PMDXB600UNEZ 分类
  • PMDXB600UNEZ 关联产品
  • PMDXB600UNEZ 关联新闻