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PMGD8000LN,115

NXP USA Inc.

型号:

PMGD8000LN,115

品牌:

NXP USA Inc.

封装:

6-TSSOP

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	18.5pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.35nC @ 4.5V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8Ohm @ 10mA, 4V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA
Supplier Device Package	6-TSSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	TrenchMOS™
Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	200mW
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	125mA
Mfr	NXP USA Inc.
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PMGD8