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R6061YNZ4C13

Rohm Semiconductor

型号:

R6061YNZ4C13

品牌:

Rohm Semiconductor

封装:

TO-247

批次:

数据手册:

描述:

NCH 600V 61A, TO-247, POWER MOSF

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	76 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 13A, 12V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 3.5mA
Supplier Device Package	TO-247
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Power Dissipation (Max)	568W (Tc)
Series	-
Package / Case	TO-247-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	61A (Tc)
Mfr	Rohm Semiconductor
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V, 12V
Package	Tube
Base Product Number	R6061