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RD3P01BATTL1

Rohm Semiconductor

型号:

RD3P01BATTL1

品牌:

Rohm Semiconductor

封装:

TO-252

批次:

数据手册:

描述:

PCH -100V -10A POWER MOSFET: RD3

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库存 : 2448

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1

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10

$0.9196

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100

$0.71535

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1000

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.4 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240mOhm @ 5A, 10V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Supplier Device Package	TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Power Dissipation (Max)	25W (Ta)
Series	-
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Mfr	Rohm Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RD3P01