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RF4E080GNTR

Rohm Semiconductor

型号:

RF4E080GNTR

封装:

HUML2020L8

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 295 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.6mOhm @ 8A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package HUML2020L8
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Series -
Package / Case 8-PowerUDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Mfr Rohm Semiconductor
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number RF4E080

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